Le Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe sous contraintes électromagnétiques : des dégradations électriques à l'analyse structurale

Le Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe sous contraintes électromagnétiques : des dégradations électriques à l'analyse structurale
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Book Synopsis Le Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe sous contraintes électromagnétiques : des dégradations électriques à l'analyse structurale by : Ali Alaeddine

Download or read book Le Transistor Bipolaire à Hétérojonction Si/SiGe sous contraintes électromagnétiques : des dégradations électriques à l'analyse structurale written by Ali Alaeddine and published by . This book was released on 2011 with total page 213 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Cette thèse propose une nouvelle méthodologie pour l‟étude de la fiabilité des Transistors Bipolaires à Hétérojonctions (TBHs) en technologie SiGe. L‟originalité de cette étude vient de l‟utilisation d‟une contrainte électromagnétique efficace et ciblée à l‟aide du banc champ proche. Ce type de contrainte a permis de dégrader les performances de ce composant en mettant en évidence certains mécanismes de défaillance. Les caractérisations statiques ont montré la présence des courants de fuite à l‟interface Si/SiO2, non seulement entre la base et l‟émetteur, mais aussi entre la base et le collecteur. Ceci est attribué à un phénomène de piégeage induit par des porteurs chauds qui ont été engendrés pendant la durée du vieillissement. Ce phénomène a été abordé par la modélisation physique en étudiant l‟influence des pièges d‟interfaces sur la dérive des performances électriques du TBH. Afin de visualiser les défaillances qui peuvent être détectées par microscopie, des observations en haute résolution MET (Microscope Electronique à Transmission) et des analyses EDS (Energy Dispersive Spectroscopy) ont été présentées. Ces analyses microscopiques ont mis en évidence les dégradations des couches de titane autour de l‟émetteur, de la base et du collecteur. Ces dégradations sont attribuées à un phénomène de migration de l‟or (Au) vers le titane (Ti) due à la forte densité de courant induite par vieillissement. Ces réactions Au-Ti provoquent une augmentation de la résistivité des couches conductrices et expliquent une partie de la dégradation significative des performances dynamiques du TBH.


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