Réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières InP et GaN pour amplification de puissance hyperfréquence

Download or read book Réalisation technologique de transistors à effet de champ dans les filières InP et GaN pour amplification de puissance hyperfréquence written by Stéphane Trassaert and published by . This book was released on 2000 with total page 220 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Ce travail porte sur la realisation de transistors a effet de champ dans les deux filieres de semiconducteurs inp et gan pour l'amplification de puissance hyperfrequences. La premiere partie est consacree a la realisation en technologie microruban d'elements passifs et actifs afin de concevoir un circuit de puissance a 60 ghz sur substrat d'inp. Une technologie originale de trous metallises a ete mise au point par voie chimique. Des elements passifs ont ete realises avec cette technologie et mesures en hyperfrequences afin de valider ou completer les modeles de la bibliotheque du simulateur mds. Des hemts ont ete realises en technologies microruban et coplanaire. L'analyse de leurs caracteristiques electriques n'a montre aucune degradation apportee par les trous metallises. Nous disposons ainsi de tous les elements necessaires a la realisation du circuit d'amplification.