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L'OBJET DE CETTE THESE EST L'ETUDE DES SOURCES DE BRUIT BASSE FREQUENCE RESPONSABLES DES LIMITATIONS ELECTRIQUES DU COMPOSANT AINSI QUE L'EXTRACTION D'ELEMENTS
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Resume: Ce travail a consiste a caracteriser des transistors bipolaires a heterojonction par des mesures de bruit basse frequence (BF). Cette etude a porte sur
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LE TRAVAIL PRESENTE DANS CE MEMOIRE PORTE SUR L'ETUDE ET LA MODELISATION DU BRUIT DE FOND DANS LES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION (TBH) GAINP/GAAS. DAN