Ces travaux de recherche portent sur l'évaluation de la fiabilité des transistors bipolaires à hétérojonction sur substrat InP au moyen de la mise en place

Ces travaux présentent la caractérisation et l'étude des mécanismes de dégradation d'une technologie de Transistor Bipolaire à double Hétérojonction à

CES TRAVAUX PRESENTENT UN PROTOCOLE EXPERIMENTAL SPECIFIQUE PERMETTANT D'EVALUER LA FIABILITE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES A HETEROJONCTION (TBH) SUR SUBSTRAT GAA