Développement d’une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue applications térahertz

Développement d’une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue applications térahertz
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Book Synopsis Développement d’une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue applications térahertz by : Estelle Mairiaux

Download or read book Développement d’une nouvelle filière de transistors bipolaires à hétérojonction AlIn(As)Sb/GaInSb en vue applications térahertz written by Estelle Mairiaux and published by . This book was released on 2010 with total page 195 pages. Available in PDF, EPUB and Kindle. Book excerpt: Les semiconducteurs III-V antimoniés suscitent un intérêt grandissant pour les applications électroniques rapides et faible consommation. Ces matériaux de paramètre de maille supérieur à 6,1 Â se caractérisent par des mobilités élevées et offrent une souplesse inégalée pour l’ingénierie des bandes. En particulier, le composé ternaire GaInSb se pose comme un candidat de choix pour la base des transistors bipolaires à hétérojonction du fait de sa haute mobilité de trous. L’objectif de cette thèse est d’évaluer la faisabilité et les potentialités d’une nouvelle filière de TBH à base d’antimoine en s’appuyant sur des hétérostructures originales AlIn(As)Sb/GaInSb. La réalisation de composants dans ce système moins bien connu que les systèmes plus classiques InP/InGaAs ou InP/GaAsSb a nécessité le développement de briques technologiques propres. L’étude de solutions de gravure pour la réalisation des mesa a notamment été entreprise et a permis d’identifier de nouvelles solutions chimiques adaptées à la gravure sélective de ces matériaux. Une attention particulière a également été portée sur la minimisation des résistivités spécifiques de contact qui a permis de dégager les paramètres critiques à l’obtention de contacts ohmiques de bonne qualité sur les couches en GaInSb de types n et p. La technologie développée a rendu possible la fabrication de dispositifs présentant des fréquences de coupure fT de 52 GHz et fMAX de 48 GHz. La caractérisation électrique précise tant en régime statique que dynamique des composants fabriqués ainsi que l’extraction du modèle petit signal nous ont permis de déterminer les principales limitations de ces dispositifs.


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